MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 9 mΩ, 62.3 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
225-9922
Codice costruttore:
SIR122LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

N-Channel 80 V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

No

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati