MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.0058 Ω Miglioramento, 73 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR184LDP-T1-RE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1353,00 €

(IVA esclusa)

1650,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,451 €1.353,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
268-8330
Codice costruttore:
SIR184LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

73A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0058Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 4 a canale N Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. Viene utilizzato in applicazioni quali rettifica sincrona, interruttore di azionamento motore, batteria e interruttore di carico.

Cifra di merito molto bassa

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

Link consigliati