MOSFET Vishay, canale Tipo N 150 V, 0.0315 Ω Miglioramento, 26.8 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR5710DP-T1-RE3

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Codice RS:
268-8334
Codice costruttore:
SIR5710DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0315Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 5 a canale N Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. Viene utilizzato in applicazioni come la rettifica sincrona, il controllo dell'azionamento del motore, gli alimentatori.

Cifra di merito molto bassa

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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