MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.032 Ω Miglioramento, 66 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:
268-8364
Codice costruttore:
SQJ186ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

66A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SQJ

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

135W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

4.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza di generazione 4 TrenchFET a canale N per uso automobilistico Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. Si tratta di un dispositivo di configurazione singolo che è indipendente dalla temperatura d'esercizio.

Certificazione AEC Q101

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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