MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.032 Ω Miglioramento, 66 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Montaggio su circuito stampato

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

8,35 €

(IVA esclusa)

10,19 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 400,835 €8,35 €
50 - 900,818 €8,18 €
100 - 2400,65 €6,50 €
250 - 9900,637 €6,37 €
1000 +0,426 €4,26 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8366
Codice costruttore:
SQJ186ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

66A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Serie

SQJ

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

135W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza di generazione 4 TrenchFET a canale N per uso automobilistico Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. Si tratta di un dispositivo di configurazione singolo che è indipendente dalla temperatura d'esercizio.

Certificazione AEC Q101

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.