Transistor di potenza Infineon, canale N 60 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 399 A, 5 Pin, sTOLL, Superficie IST011N06NM5AUMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 2000 unità, in una bobina da 2000*

4130,00 €

(IVA esclusa)

5038,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 17 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +2,065 €4.130,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-2819
Codice costruttore:
IST011N06NM5AUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

399A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

sTOLL

Serie

IST

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

313W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un MOSFET a canale N ottimizzato per le applicazioni di pilotaggio dei motori a bassa tensione e per le applicazioni alimentate a batteria. Questo MOSFET è qualificato secondo JEDEC per le applicazioni industriali.

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Testato al 100% a valanga

Consente l'ispezione ottica automatizzata delle saldature

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.