MOSFET Infineon, canale N 60 V, 3.30 mΩ Miglioramento, 173 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 273-3030
- Codice costruttore:
- IRFS7537TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 273-3030
- Codice costruttore:
- IRFS7537TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 173A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.30mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 230W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 142nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 173A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.30mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 230W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 142nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 60 V, corrente di drenaggio continua massima 173 A - IRFS7537TRLPBF
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto ad ambienti difficili e fornisce una gestione della potenza sostanziale per le applicazioni che richiedono una conduzione efficiente e un comportamento controllato dell'azionamento del gate.
Caratteristiche e vantaggi:
• La dissipazione di potenza di 230 W consente un funzionamento a carichi elevati e sostenuti
• L'Rds(on) di 3,30 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• La carica gate 142 nC supporta prestazioni di commutazione prevedibili
• La tolleranza alla tensione di gate di 20 V protegge contro i transitori di sovraccarico
• La tensione diretta di 1,2 V riduce la caduta di tensione nei percorsi di conduzione
• L'Rds(on) di 3,30 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• La carica gate 142 nC supporta prestazioni di commutazione prevedibili
• La tolleranza alla tensione di gate di 20 V protegge contro i transitori di sovraccarico
• La tensione diretta di 1,2 V riduce la caduta di tensione nei percorsi di conduzione
Applicazioni
• Adatto per azionamenti di motori CC in sistemi di controllo industriali
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta corrente
• Utilizzato con l'elettronica automobilistica che richiede un ampio intervallo di temperatura
• Può essere utilizzato per gli stadi di potenza in modalità commutata negli inverter
• Utile nei moduli di distribuzione dell'alimentazione gestiti termicamente
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta corrente
• Utilizzato con l'elettronica automobilistica che richiede un ampio intervallo di temperatura
• Può essere utilizzato per gli stadi di potenza in modalità commutata negli inverter
• Utile nei moduli di distribuzione dell'alimentazione gestiti termicamente
Quali sono i limiti di funzionamento termico per un utilizzo affidabile?
Il dispositivo supporta il funzionamento da -55 °C fino a 175 °C.
In che modo il tipo di contenitore influisce sul montaggio e sulla gestione del calore?
Il contenitore a montaggio superficiale TO-263 consente il montaggio su circuito stampato a basso profilo e un efficiente trasferimento di calore sui piani in rame.
Quali sono le caratteristiche del canale che determinano la polarità di commutazione?
Si tratta di un transistor in modalità di potenziamento a canale N, che richiede un azionamento gate positivo per condurre.
Quale capacità di corrente continua di picco si può prevedere nei circuiti per impieghi gravosi?
Il componente è specificato per correnti di drenaggio continue fino a 173 A.
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