MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3.30 mΩ Miglioramento, 173 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
273-3030
Codice costruttore:
IRFS7537TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

173A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

142nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon in un contenitore D2-Pak è ottimizzato per la massima disponibilità dai partner di distribuzione.

Qualificazione del prodotto secondo lo standard JEDEC

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

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