MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 178-7445
Codice costruttore:: IPB010N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

3001,00 €

(IVA esclusa)

3661,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

1000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
1000 +	3,001 €	3.001,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7445
Codice costruttore:: IPB010N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	180A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	208nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	300W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.31mm
	Altezza	9.45mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 180A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 208nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 300W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.31mm
	Altezza 9.45mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

IPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor

Esente

MOSFET di potenza Infineon OptiMOSTM5

OptiMOSTM 5 60V è ottimizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori in modalità commutata (SMPS) come quelli presenti nei server e nei desktop e nei caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi sono la scelta perfetta per un'ampia gamma di applicazioni industriali, tra cui controllo motore, microinverter solare e convertitore c.c.-c.c. a commutazione rapida.

Riepilogo delle caratteristiche

Ottimizzato per la rettifica sincrona

R inferiore del 40% _DS(on) rispetto ai dispositivi alternativi

Miglioramento del 40% della FOM rispetto a dispositivi simili

Conforme a RoHS - senza alogeni

Grado di protezione MSL1

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Testato al 100% con valanga

Superiore resistenza termica

Canale N, livello normale

Qualificato secondo JEDEC1) per le applicazioni target

Placcatura in cavo senza piombo; conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Vantaggi

Massima efficienza del sistema

Meno parallelizzazione richiesta

Maggiore densità di potenza

Riduzione dei costi del sistema

Sovracorrente di tensione molto bassa

Applicazioni potenziali

Raddrizzatura sincrona

Microinverter solare

Convertitori c.c.-c.c. isolati

Controllo motore per sistemi da 12-48 V

Interruttori or-ing

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.