MOSFET Infineon, canale N 60 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 178-7445
Codice costruttore:: IPB010N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:: 178-7445
Codice costruttore:: IPB010N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	180A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	208nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	300W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4.57mm
	Altezza	9.45mm
	Lunghezza	10.31mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 180A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TO-263
	Serie OptiMOS 5
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 208nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 300W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4.57mm
	Altezza 9.45mm
	Lunghezza 10.31mm
	Standard automobilistico No

IPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor

Esente

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 180 A - IPB010N06NATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è adatto per ambienti elettrici impegnativi in cui sono richieste basse perdite di conduzione e un robusto controllo del gate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale di drenaggio di 60 V che consente capacità di commutazione a media tensione
• Rds(on) di 1,5 mΩ che riduce le perdite di conduzione per percorsi ad alta corrente
• Corrente di drenaggio continua di 180 A per supportare carichi pesanti
• Dissipazione di potenza massima di 300 W che consente un carico termico prolungato
• Carica gate tipica di 208 nC che consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Tensione massima gate-sorgente di 20 V per proteggere i limiti di azionamento del gate

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente nei sistemi di alimentazione
• Ideale per moduli di distribuzione dell'alimentazione di server e telecomunicazioni
• Utilizzato con controller per motori che richiedono interruttori a bassa resistenza in stato attivo
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e il condizionamento dell'alimentazione
• Adatto per le fasi di potenza per impieghi generali nell'elettronica industriale

Quale intervallo termico può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?

Funziona tra -55 °C e 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alto calore.

Come è destinato a essere montato su una scheda?

Il componente viene fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale e la saldatura.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?

Il gate non deve superare i 20 V Vgs e la carica tipica del gate di 208 nC deve essere presa in considerazione quando si dimensionano i driver per soddisfare gli obiettivi di velocità di commutazione e perdita.

Quale tensione diretta è rilevante durante la conduzione corpo-diodo?

La tensione di conduzione diretta è di circa 1,2 V e deve essere inclusa nei calcoli della perdita per gli eventi di corrente inversa.