MOSFET Infineon, canale N 60 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB010N06NATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-4353
Codice costruttore:
IPB010N06NATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

208nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.57mm

Lunghezza

10.31mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.45mm

Standard automobilistico

No

Esente

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 180 A - IPB010N06NATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è adatto per ambienti elettrici impegnativi in cui sono richieste basse perdite di conduzione e un robusto controllo del gate.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio di 60 V che consente capacità di commutazione a media tensione
• Rds(on) di 1,5 mΩ che riduce le perdite di conduzione per percorsi ad alta corrente
• Corrente di drenaggio continua di 180 A per supportare carichi pesanti
• Dissipazione di potenza massima di 300 W che consente un carico termico prolungato
• Carica gate tipica di 208 nC che consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Tensione massima gate-sorgente di 20 V per proteggere i limiti di azionamento del gate

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente nei sistemi di alimentazione
• Ideale per moduli di distribuzione dell'alimentazione di server e telecomunicazioni
• Utilizzato con controller per motori che richiedono interruttori a bassa resistenza in stato attivo
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e il condizionamento dell'alimentazione
• Adatto per le fasi di potenza per impieghi generali nell'elettronica industriale

Quale intervallo termico può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?


Funziona tra -55 °C e 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alto calore.

Come è destinato a essere montato su una scheda?


Il componente viene fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale e la saldatura.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?


Il gate non deve superare i 20 V Vgs e la carica tipica del gate di 208 nC deve essere presa in considerazione quando si dimensionano i driver per soddisfare gli obiettivi di velocità di commutazione e perdita.

Quale tensione diretta è rilevante durante la conduzione corpo-diodo?


La tensione di conduzione diretta è di circa 1,2 V e deve essere inclusa nei calcoli della perdita per gli eventi di corrente inversa.

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