MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3.30 mΩ Miglioramento, 173 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFS7537TRLPBF

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Codice RS:
273-3029
Codice costruttore:
IRFS7537TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

173A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

142nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon in un contenitore D2-Pak è ottimizzato per la massima disponibilità dai partner di distribuzione.

Qualificazione del prodotto secondo lo standard JEDEC

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

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