MOSFET STMicroelectronics, canale N 40 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 4 Pin, ECOPACK, Superficie STL260N4F7
- Codice RS:
- 273-5099
- Codice costruttore:
- STL260N4F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 6000 in più per risparmiare 4%
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 bobina da 3000 unità*
3855,00 €
(IVA esclusa)
4704,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 10 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* | Risparmio |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,285 € | 3.855,00 € | - |
| 6000 + | 1,233 € | 3.699,00 € | 4% |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-5099
- Codice costruttore:
- STL260N4F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | ECOPACK | |
| Serie | STL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 188W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 72nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package ECOPACK | ||
Serie STL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 188W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura di gate a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato on molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
Certificazione AEC-Q101
Eccellente FoM
Elevata robustezza contro le valanghe
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 1.1 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie STL260N4F7
- MOSFET STMicroelectronics 2.0 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie STK184N4F7AG
- MOSFET STMicroelectronics 1.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante STP80N1K1K6
- MOSFET STMicroelectronics 10.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 3.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie STB140NF75T4