MOSFET STMicroelectronics, canale N 800 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N1K1K6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
287-7047
Codice costruttore:
STP80N1K1K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

STP80N

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K6 di ultima generazione, basata su 20 anni di esperienza STMicroelectronics nella tecnologia a supergiunzione. Il risultato è il migliore della classe in termini di resistenza per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

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