MOSFET STMicroelectronics, canale N 800 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N1K1K6

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Codice RS:
287-7046
Codice costruttore:
STP80N1K1K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

STP80N

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

62W

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K6 di ultima generazione, basata su 20 anni di esperienza STMicroelectronics nella tecnologia a supergiunzione. Il risultato è il migliore della classe in termini di resistenza per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

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