MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 600 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N600K6

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Codice RS:
275-1355
Codice costruttore:
STP80N600K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-220

Serie

STP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

86W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10.4 mm

Lunghezza

28.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6 basata sulla tecnologia Super Junction. Il risultato è il migliore della classe in termini di resistenza per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Carica gate ultrabassa

Testato al 100% contro le valanghe

Protezione Zener

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