MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 23 mΩ Miglioramento, 92 A, 4 Pin, TO-247-4, Foro passante STW65N023M9-4
- Codice RS:
- 275-1382
- Codice costruttore:
- STW65N023M9-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 275-1382
- Codice costruttore:
- STW65N023M9-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 92A | |
| Serie | STW | |
| Tipo di package | TO-247-4 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 23mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 463W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 230nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 92A | ||
Serie STW | ||
Tipo di package TO-247-4 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 23mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 463W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 230nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media o alta tensione con RDS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il prodotto risultante è dotato di uno dei valori di resistenza all'accensione più bassi e di carica di gate ridotta, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida a base di silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.
Eccellenti prestazioni di commutazione
Facile da azionare
Testato al 100% contro le valanghe
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