MOSFET STMicroelectronics, canale N, 92 A, TO247-4, Su foro

Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media o alta tensione con RDS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il prodotto risultante è dotato di uno dei valori di resistenza all'accensione più bassi e di carica di gate ridotta, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida a base di silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.

Eccellenti prestazioni di commutazione
Facile da azionare
Testato al 100% contro le valanghe