MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 23 mΩ Miglioramento, 92 A, 4 Pin, TO-247-4, Foro passante STW65N023M9-4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
275-1382
Codice costruttore:
STW65N023M9-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

92A

Tipo di package

TO-247-4

Serie

STW

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

230nC

Dissipazione di potenza massima Pd

463W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

5mm

Larghezza

15.8 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media o alta tensione con RDS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il prodotto risultante è dotato di uno dei valori di resistenza all'accensione più bassi e di carica di gate ridotta, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida a base di silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.

Eccellenti prestazioni di commutazione

Facile da azionare

Testato al 100% contro le valanghe

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