MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.0149 Ω Miglioramento, 42.6 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR5112DP-T1-RE3

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Codice RS:
279-9945
Codice costruttore:
SIR5112DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

42.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0149Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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