MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00115 Ω Miglioramento, 334 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS4600DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9969
Codice costruttore:
SIRS4600DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

334A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

SIRS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00115Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

162nC

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

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Riduce le perdite di potenza legate alla commutazione

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