MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.018 Ω Miglioramento, 50 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFZ48RPBF
- Codice RS:
- 281-6035
- Codice Distrelec:
- 171-17-666
- Codice costruttore:
- IRFZ48RPBF
- Costruttore:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 2000 - 4000 | 1,232 € | 1.232,00 € |
| 5000 + | 1,146 € | 1.146,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 281-6035
- Codice Distrelec:
- 171-17-666
- Codice costruttore:
- IRFZ48RPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.018Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 190W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie IRFZ48R | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.018Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 190W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza Vishay utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Si tratta di un dispositivo efficiente e affidabile per varie applicazioni grazie alla sua velocità di commutazione rapida e al suo design robusto.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza all'accensione estremamente bassa
Valore nominale dinamico dV/dt