MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -60 V, 500 mΩ Miglioramento, -6.7 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 542-9478
- Codice costruttore:
- IRF9Z14PBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
1,74 €
(IVA esclusa)
2,12 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 61 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 740 unità in spedizione dal 02 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,74 € |
| 10 - 49 | 1,57 € |
| 50 - 99 | 1,38 € |
| 100 - 249 | 1,30 € |
| 250 + | 1,21 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 542-9478
- Codice costruttore:
- IRF9Z14PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -6.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -60V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF9Z14 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 500mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensione diretta Vf | -5.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 43W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 9.01mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id -6.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF9Z14 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 500mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensione diretta Vf -5.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 43W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 9.01mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRF9Z14 Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio -60 V, corrente di drenaggio continua massima -6,7 A - IRF9Z14PBF
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione e il controllo nei sistemi elettronici. È fornito in un contenitore TO‐220AB a foro passante ed è adatto per le applicazioni che richiedono un transistor discreto in grado di gestire correnti e tensioni moderate mentre funziona in un'ampia gamma di temperature.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drain‐source di 60 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di -6,7 A supporta carichi di media potenza
• L'Rds(on) di 500 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica di gate tipica di 12 nC consente una commutazione ragionevolmente rapida
• La dissipazione di potenza di 43 W gestisce il carico termico in ambienti controllati
• La resistenza massima da gate‐source di 20 V semplifica la progettazione del gate‐drive
• La corrente di drenaggio continua di -6,7 A supporta carichi di media potenza
• L'Rds(on) di 500 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica di gate tipica di 12 nC consente una commutazione ragionevolmente rapida
• La dissipazione di potenza di 43 W gestisce il carico termico in ambienti controllati
• La resistenza massima da gate‐source di 20 V semplifica la progettazione del gate‐drive
Applicazioni
• Adatto per la commutazione del motore CC high-side nei sistemi di automazione
• Ideale per il controllo della potenza nei moduli elettronici industriali
• Utilizzato con gruppi di gestione termica negli azionamenti meccanici
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei pannelli di distribuzione elettrica
• Ideale per il controllo della potenza nei moduli elettronici industriali
• Utilizzato con gruppi di gestione termica negli azionamenti meccanici
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei pannelli di distribuzione elettrica
Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
È classificato per funzionare tra -55 °C e 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica.
Quanti collegamenti elettrici fornisce il pacchetto per l'assemblaggio?
Il formato a foro passante TO‐220AB presenta tre pin per un facile montaggio su circuito stampato o su telaio.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate per la commutazione?
La tensione massima del gate-source è di 20 V e la carica tipica del gate è di 12 nC, pertanto i circuiti di azionamento devono limitare Vgs e fornire una corrente sufficiente per caricare il gate alla velocità di commutazione prevista.
Ci sono standard ambientali o normativi sui materiali indicati per il pezzo?
Il dispositivo soddisfa i requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni nei componenti elettronici.
Link consigliati
- MOSFET Vishay 500 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF9Z14PBF
- MOSFET Vishay 500 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 500 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF9640PBF
- MOSFET onsemi 90 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 69 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 90 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie FDD306P
- MOSFET onsemi 69 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie FDD4243
- MOSFET onsemi 220 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante