MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -60 V, 500 mΩ Miglioramento, -6.7 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
542-9478
Codice costruttore:
IRF9Z14PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-6.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-60V

Serie

IRF9Z14

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

500mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-5.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.01mm

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.41mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRF9Z14 di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 60 V, dissipazione di potenza 43 W - IRF9Z14PBF


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a canale P progettato per le attività di commutazione e amplificazione nell'elettronica di media potenza. Funziona con polarità drain-source e gate-source negative ed è fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante adatto per schede che richiedono un montaggio robusto e un'interfaccia termica. Il componente è conforme alla direttiva RoHS ed è destinato ad applicazioni che richiedono un controllo del gate definito e una gestione affidabile della corrente in ambienti termici limitati.

Caratteristiche e vantaggi:


• Classificato per una tensione drain-source di -60 V che consente progetti a canale P a tensione più elevata
• La corrente di drenaggio continua massima di -6,7 A supporta correnti di carico consistenti
• La dissipazione di potenza massima di 43 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 12 nC riduce l'energia di commutazione e le perdite di transizione
• Il basso valore RDS(on) di 500 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione in condizioni operative
• Intervallo di funzionamento tollerato da -55 °C a 175 °C per sistemi a temperatura elevata

Applicazioni


• Adatto per le attività di commutazione dello stadio di potenza dell'amplificatore audio
• Ideale per la commutazione discreta high-side negli alimentatori
• Utilizzato con layout a foro passante che richiedono un fissaggio saldo del dissipatore di calore
• Può essere utilizzato per i circuiti di azionamento del motore che necessitano di una configurazione a canale P
• Adatto per la sostituzione in progetti che richiedono dispositivi a canale P da 60 V

Qual è il contenitore e lo stile di montaggio per l'integrazione della scheda?


Il dispositivo viene fornito in un contenitore TO-220AB con tre pin per il montaggio a foro passante, facilitando collegamenti saldati semplici e stabilità meccanica.

In che modo il limite di tensione del gate influisce sui circuiti di controllo?


La tensione nominale massima gate-sorgente è di 20 V, pertanto i circuiti driver devono mantenere le oscillazioni del gate entro questo limite per evitare danni.

Quali sono le considerazioni termiche da osservare durante la progettazione del circuito stampato?


Con una dissipazione massima di 43 W, i progettisti devono fornire un dissipatore di calore o un'area di rame adeguata e considerare le vie termiche per mantenere le temperature di giunzione.

In che modo il tipo di canale e la modalità influenzano il comportamento di commutazione?


Come dispositivo di potenziamento a canale P, richiede una tensione di gate più positiva rispetto alla sorgente per la disattivazione e più negativa rispetto alla sorgente per l'accensione, adatta per disposizioni high-side.

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