MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 4 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 485-7686
Codice costruttore:: STP4NK60Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 4 A, TO-220, Su foro

20 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

100 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per 1pz in confezione da 5

0,39 €

(IVA esclusa)

0,48 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
5 +	0,39 €	1,95 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 485-7686
Codice costruttore:: STP4NK60Z
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel Zener-protected Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 485-7686
Codice costruttore:: STP4NK60Z
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel Zener-protected Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.6mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	18,8 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.6mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	18,8 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 4 A, TO-220, Su foro

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

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