MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 7,7 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 543-1702
Codice costruttore:: IRLU014PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 7,7 A, IPAK (TO-251), Su foro

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Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 5

1,236 €

(IVA esclusa)

1,508 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
5 - 45	1,236 €	6,18 €
50 - 120	1,164 €	5,82 €
125 - 245	1,052 €	5,26 €
250 - 495	0,988 €	4,94 €
500 +	0,93 €	4,65 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 543-1702
Codice costruttore:: IRLU014PBF
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,7 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Larghezza	2.39mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.73mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	8,4 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	6.22mm

Codice RS:: 543-1702
Codice costruttore:: IRLU014PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 7,7 A, IPAK (TO-251), Su foro

Documentazione Tecnica

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MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

Specifiche

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

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