MOSFET tedrodo NXP, canale N, 30 mA, CMPAK, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 626-2169
- Codice costruttore:
- BF1201WR,115
- Costruttore:
- NXP
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 626-2169
- Codice costruttore:
- BF1201WR,115
- Costruttore:
- NXP
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | NXP | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 30 mA | |
| Tensione massima drain source | 10 V | |
| Tipo di package | CMPAK | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 4 | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Dissipazione di potenza massima | 200 mW | |
| Tensione massima gate source | +6 V | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Guadagno potenza tipico | 33,5 dB | |
| Altezza | 1mm | |
| Minima temperatura operativa | -65 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio NXP | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 30 mA | ||
Tensione massima drain source 10 V | ||
Tipo di package CMPAK | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 4 | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Dissipazione di potenza massima 200 mW | ||
Tensione massima gate source +6 V | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Guadagno potenza tipico 33,5 dB | ||
Altezza 1mm | ||
Minima temperatura operativa -65 °C | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET a canale N, NXP
Nota
NXP è un marchio di NXP B.V.
Transistor MOSFET, NXP
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