MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 7 mΩ Miglioramento, 130 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFB4310PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
650-4744
Codice costruttore:
IRFB4310PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.66mm

Altezza

9.02mm

Larghezza

4.82 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 130A, dissipazione di potenza massima 300W - IRFB4310PBF


Questo robusto ed efficiente transistor di potenza è progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'industria elettrica. La tecnologia a canale N offre vantaggi nella gestione della potenza e nelle capacità di commutazione. L'intervallo di temperature di esercizio da -55°C a +175°C ne aumenta la versatilità e l'affidabilità in vari ambienti.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta una corrente di drenaggio continua fino a 130 A per esigenze di carico elevate

• Funziona con una tensione massima di 100 V per una migliore utilità

• Il basso RDS(on) di 7 mΩ riduce al minimo la perdita di potenza

• Funzionamento in modalità di potenziamento per migliorare l'efficienza

• Robustezza integrata con funzionalità di valanga e dV/dt dinamico

• Capacità completamente caratterizzata per una precisa ottimizzazione delle prestazioni

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di raddrizzamento sincrono ad alta efficienza

• Utilizzato nei gruppi di continuità per un backup affidabile dell'energia

• Adatto per circuiti di commutazione di potenza ad alta velocità

• Progettato per commutazioni rigide e ad alta frequenza

Qual è l'impatto del basso RDS(on) sull'efficienza?


La bassa RDS(on) riduce la generazione di calore durante il funzionamento, migliorando l'efficienza dell'erogazione di potenza.

Qual è il significato della capacità di affrontare le valanghe?


La funzionalità a valanga protegge il dispositivo da picchi di tensione eccessivi, favorendo prestazioni stabili in condizioni difficili.

Questo dispositivo può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?


Sì, questo MOSFET è stato progettato per circuiti ad alta frequenza e quindi è adatto a varie applicazioni avanzate.

Qual è la corrente massima che può gestire a temperature elevate?


A una temperatura di 100°C, la corrente di drenaggio massima continua può raggiungere i 92 A, garantendo prestazioni affidabili.

Come deve essere montato per ottenere prestazioni ottimali?


Si consiglia di montare il dispositivo su una superficie piana e unta per massimizzare il trasferimento termico al dissipatore.

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