MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 7 mΩ Miglioramento, 130 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

91,75 €

(IVA esclusa)

111,95 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 400 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 +1,835 €91,75 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
919-4943
Codice costruttore:
IRL1004PBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-220

Serie

LogicFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

100nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

8.77mm

Lunghezza

10.54mm

Larghezza

4.69 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET della serie Infineon LogicFET, corrente di scarico continua massima di 130 A, dissipazione di potenza massima di 200 W - IRL1004PBF


Questo MOSFET ad alte prestazioni impiega la tecnologia Si ed è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in una varietà di applicazioni elettroniche. La struttura a canale N in modalità enhancement garantisce un funzionamento efficace, rendendolo adatto ai moderni sistemi di automazione ed elettrici, in particolare nei circuiti ad alta potenza.

Caratteristiche e vantaggi


• Capacità di corrente continua di drenaggio fino a 130A

• Tensione massima drain-source di 40V per garantire prestazioni robuste

• Bassa Rds(on) di 7mΩ per ridurre la generazione di calore

• Elevata stabilità termica con una temperatura massima di esercizio di +175°C

• Il pacchetto TO-220AB compatto consente opzioni di montaggio versatili

Applicazioni


• Circuiti di alimentazione ad alta efficienza

• Sistemi di automazione automobilistica e industriale

• Sistemi di gestione e conversione dell'energia

In che modo la Rds(on) contribuisce all'efficienza del dispositivo?


Una bassa Rds(on) di 7mΩ riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento, riducendo così il calore e migliorando l'efficienza complessiva nelle applicazioni di potenza.

Qual è il significato dell'intervallo di temperatura operativa?


Il dispositivo è in grado di funzionare in un ampio intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, garantendo prestazioni affidabili in diverse condizioni ambientali e riducendo al minimo il rischio di guasti termici.

Può essere utilizzato per applicazioni di commutazione ad alta frequenza?


Sì, è stato progettato per una capacità di commutazione rapida, che lo rende adatto a operazioni ad alta frequenza, migliorando così le prestazioni nei sistemi di comunicazione e controllo.

Quali sono le considerazioni da fare per l'installazione?


Utilizzare tecniche di gestione termica adeguate, come un dissipatore di calore, poiché i dispositivi ad alta potenza necessitano di un'efficace dissipazione del calore per mantenere la funzionalità e l'affidabilità.

Cosa succede se la tensione del gate-source supera il valore nominale massimo?


Il superamento della tensione massima del gate-source può causare il guasto del dispositivo, pertanto è fondamentale rispettare i limiti specificati per garantire la longevità e prevenire i danni.

Link consigliati