MOSFET Infineon, canale N, 7 mΩ, 130 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 913-3979
Codice costruttore:: IRFB4310PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 7 mΩ, 130 A, TO-220AB, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

2,03 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	2,03 €	101,50 €
100 - 200	1,665 €	83,25 €
250 +	1,563 €	78,15 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 913-3979
Codice costruttore:: IRFB4310PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	130 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	170 nC a 10 V
Larghezza	4.82mm
Altezza	9.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 7 mΩ, 130 A, TO-220AB, Su foro

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