MOSFET DiodesZetex, canale P, 125 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 669-7489
Codice costruttore:: ZXMP6A17E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 125 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 669-7489
Codice costruttore:: ZXMP6A17E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	125 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1700 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.1mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	17,7 nC a 10 V, 9,8 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.8mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 125 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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