MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 190 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FCB20N60TM

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

4,13 €

(IVA esclusa)

5,04 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Pochi pezzi in magazzino
  • Più 726 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.
Unità
Per unità
1 - 94,13 €
10 - 993,56 €
100 - 4993,09 €
500 +2,71 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0330
Codice costruttore:
FCB20N60TM
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SuperFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75nC

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

9.65mm

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor


Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.

Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati