Singolo MOSFET onsemi, canale Tipo N, 190 mΩ 600 V, 20 A Miglioramento, TO-3PN, Foro passante, 3 Pin FCA20N60F
- Codice RS:
- 865-1230
- Codice costruttore:
- FCA20N60F
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 865-1230
- Codice costruttore:
- FCA20N60F
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-3PN | |
| Serie | SuperFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 190mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 16.2mm | |
| Altezza | 20.1mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-3PN | ||
Serie SuperFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 190mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 16.2mm | ||
Altezza 20.1mm | ||
MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha aggiunto la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II utilizzando la tecnologia Super Junction. Offre le migliori prestazioni del corpo diodo robuste della categoria in applicazioni di alimentatori switching (SMPS) c. a. - c. c. come server, telecomunicazioni, computer, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.
Utilizzando una tecnologia avanzata di bilanciamento della carica, i progettisti ottengono soluzioni più efficienti, convenienti e ad alte prestazioni che occupano meno spazio sulla scheda e migliorano l'affidabilità.
Transistor MOSFET, ON Semi
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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.
