Singolo MOSFET onsemi, canale N, 190 mΩ 600 V, 20 A Miglioramento, TO-3PN, Foro passante, 3 Pin FCA20N60F

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
865-1230
Codice costruttore:
FCA20N60F
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Configurazione transistor

Singolo

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

190 mΩ

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

600 V

Massima corrente di scarico continua (Id)

20 A

Modalità canale

Miglioramento

Tipo di package

TO-3PN

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Altezza

20.1 mm

Lunghezza

16.2 mm

Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs)

30 V, -30 V

Temperatura massima di funzionamento

150 °C

Dissipazione di potenza massima (Pd)

208 W

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

SuperFET

Larghezza

5 mm

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.

Utilizing an Advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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