MOSFET ON Semiconductor FDN304PZ 1, canale P, SOT-23, 3 Pin PowerTrench Singolo Si

Documentazione Tecnica
Normative
RoHS
Dettagli prodotto

MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Specifiche
Attributo Valore
Tipo di canale P
Corrente massima continuativa di drain 2,4 A
Tensione massima drain source 20 V
Tipo di package SOT-23
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Numero pin 3
Resistenza massima drain source 52 mΩ
Modalità del canale Enhancement
Tensione di soglia gate minima 0.4V
Dissipazione di potenza massima 500 mW
Configurazione transistor Singolo
Tensione massima gate source -8 V, +8 V
Numero di elementi per chip 1
Minima temperatura operativa -55 °C
Materiale del transistor Si
Altezza 0.94mm
Larghezza 1.4mm
Lunghezza 2.92mm
Massima temperatura operativa +150 °C
Serie PowerTrench
Carica gate tipica @ Vgs 12 nC a 4,5 V
375 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per: 1pz in confezione da 5
0,444
(IVA esclusa)
0,542
(IVA inclusa)
Unità
Per unità
Per Pack*
5 - 45
€ 0,444
€ 2,22
50 - 95
€ 0,374
€ 1,87
100 - 245
€ 0,354
€ 1,77
250 - 495
€ 0,332
€ 1,66
500 +
€ 0,31
€ 1,55
*prezzo indicativo
Opzioni di confezione: