MOSFET onsemi, canale Tipo P 30 V, 20 mΩ Miglioramento, 8.8 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS4435BZ

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

4,13 €

(IVA esclusa)

5,04 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Pochi pezzi in magazzino
  • Più 100 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
  • Più 8745 unità in spedizione dal 07 settembre 2026
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 450,826 €4,13 €
50 - 950,71 €3,55 €
100 - 4950,616 €3,08 €
500 - 9950,542 €2,71 €
1000 +0,494 €2,47 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0508
Codice costruttore:
FDS4435BZ
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

FDS

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

4mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.