MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 17 mΩ Miglioramento, 10 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS6575

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

8,90 €

(IVA esclusa)

10,85 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 105 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 201,78 €8,90 €
25 - 951,154 €5,77 €
100 - 2451,136 €5,68 €
250 - 4951,124 €5,62 €
500 +1,054 €5,27 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0570
Codice costruttore:
FDS6575
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

74nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..

I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti.

Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati