Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale N 30 V, 10 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS6680A

Codice RS:: 671-0605
Codice costruttore:: FDS6680A
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N 30 V, 10 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS6680A

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100 - 245	0,716 €	3,58 €
250 - 495	0,676 €	3,38 €
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Codice RS:: 671-0605
Codice costruttore:: FDS6680A
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	12.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	10mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	16nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	700mV
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5mm
	Larghezza	4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.5mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 12.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOIC
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 700mV
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5mm
	Larghezza 4mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.5mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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