MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 10 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS6680A

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0605
Codice costruttore:
FDS6680A
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.7V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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