MOSFET Infineon, canale N, 12,5 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 915-4963
Codice costruttore:: IRF7821TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 12,5 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 915-4963
Codice costruttore:: IRF7821TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7821PbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	13,6 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	12,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+155 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	9,3 nC a 4,5 V
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 12,5 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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