MOSFET onsemi, canale Tipo P 100 V, 125 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FQB22P10TM

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0879
Codice costruttore:
FQB22P10TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

QFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-4V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.75W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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