Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,9 A
Tensione massima drain source	105 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	135 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	28 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.83mm
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	9.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,9 A
Tensione massima drain source	105 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	135 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	28 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.83mm
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	9.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 33 mΩ, 5,9 A, TO-220AB, Su foro

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