MOSFET onsemi, canale N, 33 mΩ, 5,9 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 671-4834
Codice costruttore:: FDP3672
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 33 mΩ, 5,9 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 671-4834
Codice costruttore:: FDP3672
Costruttore:: onsemi

Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-TO-220AB
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,9 A
Tensione massima drain source	105 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	135 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.83mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	28 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.67mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.4mm

MOSFET onsemi, canale N, 33 mΩ, 5,9 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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