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    MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 5,8 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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    388 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

    Prezzo per 1pz in confezione da 2

    2,855 €

    (IVA esclusa)

    3,483 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Unità
    Per unità
    Per confezione*
    2 - 82,855 €5,71 €
    10 - 242,37 €4,74 €
    26 - 982,29 €4,58 €
    100 - 4981,89 €3,78 €
    500 +1,605 €3,21 €

    *prezzo indicativo

    Opzioni di confezione:
    Codice RS:
    687-5140
    Codice costruttore:
    STB6NK90ZT4
    Costruttore:
    STMicroelectronics
    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain5,8 A
    Tensione massima drain source900 V
    SerieMDmesh, SuperMESH
    Tipo di packageD2PAK (TO-263)
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source2 Ω
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima4.5V
    Tensione di soglia gate minima3V
    Dissipazione di potenza massima140 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-30 V, +30 V
    Materiale del transistorSi
    Numero di elementi per chip1
    Lunghezza10.4mm
    Larghezza9.35mm
    Carica gate tipica @ Vgs46,5 nC a 10 V
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Altezza4.6mm
    Minima temperatura operativa-55 °C

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