MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 5,8 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 920-6632
Codice costruttore:: STP6NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 5,8 A, TO-220, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,74 €

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2,12 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	1,74 €	87,00 €
100 - 450	1,368 €	68,40 €
500 - 950	1,145 €	57,25 €
1000 - 4950	0,959 €	47,95 €
5000 +	0,905 €	45,25 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 920-6632
Codice costruttore:: STP6NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,8 A
Tensione massima drain source	900 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	140 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	46,5 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 5,8 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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