MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 900 V, 2 Ω Miglioramento, 5.8 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
920-6639
Codice costruttore:
STB6NK90ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

900V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.35 mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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