MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 687-5285
Codice costruttore:: STP8NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 687-5285
Codice costruttore:: STP8NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 6.5A 1000V SuperMESH TO220
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,5 A
Tensione massima drain source	1000 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,85 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	160 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	4.6mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	73 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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