MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 761-2855
Codice costruttore:: STF8NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220FP, Su foro

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Codice RS:: 761-2855
Codice costruttore:: STF8NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 1000V - 1.60Ohm - 6.5A - TO-220 - TO-220FP
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,5 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-220FP
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,85 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	102 nC a 10 V
Lunghezza	10.4mm
Larghezza	4.6mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.4mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220FP, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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