MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 920-6667
Codice costruttore:: STF8NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220FP, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

2,94 €

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3,59 €

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Unità	Per unità	Per Tubo**
50 - 50	2,94 €	147,00 €
100 - 450	2,358 €	117,90 €
500 - 950	2,087 €	104,35 €
1000 - 4950	1,761 €	88,05 €
5000 +	1,714 €	85,70 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 920-6667
Codice costruttore:: STF8NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,5 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-220FP
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,85 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	102 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.6mm
Lunghezza	10.4mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.4mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,85 Ω, 6,5 A, TO-220FP, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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