MOSFET Infineon, canale N, 14,5 mΩ, 93 A, TO247AC, Su foro

Codice RS:: 688-7020
Codice costruttore:: IRFP4768PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 14,5 mΩ, 93 A, TO247AC, Su foro

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Codice RS:: 688-7020
Codice costruttore:: IRFP4768PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	93 A
Tensione massima drain source	250 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO247AC
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	14,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	520 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	180 nC a 10 V
Larghezza	5.31mm
Lunghezza	15.87mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	20.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 14,5 mΩ, 93 A, TO247AC, Su foro

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