MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 688-9130
Codice costruttore:: NTF2955T1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 688-9130
Codice costruttore:: NTF2955T1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	185 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	2,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	14,3 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.5mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.57mm

MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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