MOSFET Infineon, canale N, 185 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-5560
Codice costruttore:: IRFL4315TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 185 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,289 €

(IVA esclusa)

0,353 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,289 €	722,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5560
Codice costruttore:: IRFL4315TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRFL4315PBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	185 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	2,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC a 10 V
Lunghezza	6.7mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.7mm
Altezza	1.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 185 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon

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