MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 8.5 Ω Miglioramento, 400 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante STQ1HNK60R-AP

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Codice RS:
714-6796
Codice costruttore:
STQ1HNK60R-AP
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

400mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-92

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.95mm

Larghezza

3.94 mm

Lunghezza

4.95mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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