MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 Ω, 400 mA, TO-92, Su foro

Codice RS:: 168-6849
Codice costruttore:: STQ1HNK60R-AP
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 Ω, 400 mA, TO-92, Su foro

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Codice RS:: 168-6849
Codice costruttore:: STQ1HNK60R-AP
Costruttore:: STMicroelectronics

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8Ω - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	400 mA
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-92
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Tensione di soglia gate minima	2.25V
Dissipazione di potenza massima	3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.94mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	7 nC a 10 V
Lunghezza	4.95mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	4.95mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 Ω, 400 mA, TO-92, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

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