MOSFET Nexperia, canale P, 2,5 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 725-8348P
Codice costruttore:: BSH201,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 2,5 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 725-8348P
Codice costruttore:: BSH201,215
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	300 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.9V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	417 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	3 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 2,5 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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