MOSFET Nexperia, canale N, 40 mΩ, 5,2 A, TSOP, Montaggio superficiale

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5,2 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

TSOP

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

40 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

1,75 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

3.1mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.7mm

Carica gate tipica @ Vgs

6,1 nC a 4,5 V

Materiale del transistor

Si

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C