MOSFET Nexperia, canale P, 60 mΩ, 4,8 A, TSOP, Montaggio superficiale

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

4,8 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

TSOP

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

60 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

0.95V

Tensione di soglia gate minima

0.55V

Dissipazione di potenza massima

2,2 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Carica gate tipica @ Vgs

10 nC a 4,5 V

Larghezza

1.7mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

3.1mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C