MOSFET Nexperia, canale N, 31 mΩ, 5,1 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:
798-2766
Codice costruttore:
PMN35EN,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5,1 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

TSOP-6

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

31 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

4,17 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.7mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

6,2 nC a 10 V

Lunghezza

3.1mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MY

MOSFET a canale N, fino a 30 V.



Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

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